September-Neuheiten aus den Laboren von Bose Research & eepocon
Bose Research hat in den vergangen Monaten zahlreiche Entwicklungsprojekte ausgeführt die auf – WBGSs –
Wide-Bandgap Semiconductors – basieren.
SiC MOSFET und GaN Designs für EV-Ladegeräte hoher Leistung AC/DC-Schaltnetzteile mit dem Vorteil ► hoher Leistungsdichte ► kleiner Abmessungen ► geringen Gewichts ► reduzierten Gesamtkosten ► oder aller diesen Vorteilen zusammen |
Interessiert? Fordern Sie weitere Informationen, indem Sie einfach auf diese Mail antworten oder rufen Sie uns an unter +49 172 60222800. Ihre Hildegard Stetzler-Ludwig h.stetzler-ludwig@eepocon.de |