September-Neuheiten aus den Laboren von Bose Research & eepocon

Bose Research hat in den vergangen Monaten zahlreiche Entwicklungsprojekte ausgeführt die auf – WBGSs –
Wide-Bandgap Semiconductors – basieren.

SiC MOSFET und GaN Designs
für
EV-Ladegeräte hoher Leistung
AC/DC-Schaltnetzteile

mit dem Vorteil
► hoher Leistungsdichte
► kleiner Abmessungen
► geringen Gewichts
► reduzierten Gesamtkosten
► oder aller diesen Vorteilen zusammen
Interessiert? Fordern Sie weitere Informationen, indem Sie einfach auf diese Mail antworten oder rufen Sie uns an unter +49 172 60222800. 

Ihre
Hildegard Stetzler-Ludwig
h.stetzler-ludwig@eepocon.de