Bose Research hat in den vergangen Monaten zahlreiche Entwicklungsprojekte ausgeführt die auf – WBGSs –
Wide-Bandgap Semiconductors – basieren.

SiC MOSFET und GaN Designs für EV-Ladegeräte hoher Leistung AC/DC-Schaltnetzteile mit dem Vorteil ► hoher Leistungsdichte ► kleiner Abmessungen ► geringen Gewichts ► reduzierten Gesamtkosten ► oder aller diesen Vorteilen zusammen

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