‚Driving of a GaN Enhancement Mode HEMT Transistor with Zero Diode Protection for High Efficiency and Low EMI’

Nachfolgend finden Sie Vortrag und Veröffentlichung zum Thema ‚Driving of a GaN Enhancement Mode HEMT Transistor with Zero Diode Protection for High Efficiency and Low EMI’

von O.C. Spro, S.Basu, I. Abhuishmais, O.-M. Midtgard, T. Undeland

Die Arbeit untersucht mögliche Design Änderungen beim Einsatz von GaN Komponenten im Gegensatz zu Si Komponenten, in Applikationen der Leistungselektronik.

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