Vom 11.September – 14.September 2017 findet die EPE’17 ECCE Europe Konferenz in Warschau. Polen statt.

Unter dem Titel ‚Driving of a GaN Enhancement Mode HEMT Transistor with Zero Diode Protection for High Efficiency and Low EMI’ wird Dr. Supratim Basu von Bose Research Pvt.Ltd., Bangalore, als einer der Koautoren, ein Paper veröffentlichen. Hauptautor ist Herr Ole Christian Spro, von der Norwegian University of Science and Technology, Trondheim, Norwegen.

Der Vortrag findet am 12.09.2017 um 14:00Uhr in der Exhibition Hall statt.

Siehe auch www.EEP2017.com